晶圆制造是半导体工业中最基础也是最关键的环节之一，整个过程可以分为以下几个主要步骤：

硅提纯：从沙子中提取高纯度硅（99.9999%以上），制成多晶硅。

单晶硅生长：

• 使用柴可拉斯基法(Czochralski法)将多晶硅熔融

• 放入籽晶并旋转拉升，形成单晶硅锭

• 硅锭直径通常为150mm(6英寸)、200mm(8英寸)或300mm(12英寸)

硅锭加工：

• 切除两端和外围部分

• 用金刚石锯将硅锭切割成厚度约0.5-1mm的薄片

• 进行研磨和抛光，使表面极度平整

氧化：在高温下使硅片表面形成二氧化硅绝缘层

光刻：

• 涂布光刻胶

• 通过掩模版曝光

• 显影形成电路图案

刻蚀：用化学或物理方法去除未被光刻胶保护的部分

离子注入：将特定杂质离子注入硅中，形成晶体管结构

化学气相沉积(CVD)：沉积各种材料的薄膜层

金属化：制作互连金属层

测试与封装：测试电性能，切割成单个芯片并封装

整个制造过程需要在超净环境中进行，可能需要数百道工序，耗时数周才能完成。